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元件参数资料
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参数目录41115
> STB12NM60N MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
型号:
STB12NM60N
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STB12NM60N PDF
产品目录绘图
ST Series D2PAK
标准包装
1
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
410 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
30.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
960pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
标准包装
产品目录页面
1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-7931-6
查看STB12NM60N代理商
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